Эта публикация цитируется в 5 статьях

Статистика интенсивности обратно-рассеянного излучения полупроводникового лазера в одномодовом оптическом волокне

А. Э. Алексеев^ab, Я. А. Тезадов^ab, В. Т. Потапов<sup>ab

a</sup> НТО "ИРЭ — Полюс", г. Фрязино, Московской обл.
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Приведены результаты исследования статистической зависимости интенсивности обратно-рассеянного излучения полупроводникового лазера в одномодовом волокне от длительности зондирующего импульса и времени когерентности источника. Показано, что при заданном времени когерентности излучения источника функция распределения интенсивности изменяется с ростом длительности импульса, переходя от функции, близкой к экспоненциальной, к функции, близкой к гауссовской. Экспоненциальная статистика позволяет получить лучшую чувствительность для когерентного рефлектометра при использовании метода прямого детектирования. Рассчитанная функция распределения позволяет количественно определить степень ухудшения чувствительности рефлектометра к внешним воздействиям при увеличении длительности зондирующего импульса или уменьшении времени когерентности лазера, что дает критерий для оптимального выбора источника излучения для когерентного рефлектометра.

Поступила в редакцию: 01.08.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:1, 89–92