Эта публикация цитируется в 2 статьях

Структурная характеризация сверхрешеток AlGaN/GaN на основе трехволновой дифракции рентгеновских лучей

Р. Н. Кютт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: По схеме Реннингера измерена трехволновая дифракция рентгеновских лучей от эпитаксиальных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на $c$-сапфире. В качестве первичного взято запрещенное отражение 0001. В положении каждого трехволнового рефлекса измерялись пики $\theta$-сканирования. Из угловых положений пиков на диаграмме Реннингера (кривых $\varphi$-сканирования) определены средние параметры $a$ и $c$ сверхрешеток. Показана возможность получения дифракционной картины с сателлитами на $\theta$–2$\theta$-кривой 0001-отражения в азимутальном положении трехволновой дифракции. Проанализированы угловые полуширины дифракционных пиков как $\varphi$-, так и $\theta$-сканирования в их связи с дефектной структурой слоев. На этой основе предлагается новый метод определения структурных параметров сверхрешеток.

Поступила в редакцию: 24.08.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:1, 38–41

Реферативные базы данных:

•