Эта публикация цитируется в 14 статьях

Инжекционный фотодиод на основе $p$-CdTe

Ш. А. Мирсагатов^ab, А. К. Утениязов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
^b Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Республика Каракалпакстан

Аннотация: На основе фоточувствительных крупноблочных пленок теллурида кадмия $p$-типа с удельным сопротивлением $\rho\sim$ 10$^6$–10$^7$ $\Omega$ $\cdot$ cm создана Al-$p$-CdTe-Mo-структура с барьером Шоттки, которая обладает свойствами инжекционного фотодиода. При пропускном направлении тока (когда “+” приложен к молибденовому контакту) и высоких уровнях освещенности она имеет токовую чувствительность $S_\lambda\approx$ 2.6 A/W при $\lambda$ = 0.625 $\mu$m, которая в 5 раз превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения.

Поступила в редакцию: 05.07.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:1, 34–37

Реферативные базы данных:

•