О. Е. Терещенко, А. Г. Паулиш, М. А. Неклюдова, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. П. Просвирин, И. Э. Жаксылыкова, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Н. Варнаков, М. В. Рауцкий, Н. В. Волков, С. Г. Овчинников, А. В. Латышев, “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов”, Письма в ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 1,страницы 27

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

О. Е. Терещенко^a, А. Г. Паулиш^a, М. А. Неклюдова^a, Т. С. Шамирзаев^a, А. С. Ярошевич^a, И. П. Просвирин^b, И. Э. Жаксылыкова^a, Д. В. Дмитриев^a, А. И. Торопов^a, С. Н. Варнаков^c, М. В. Рауцкий^c, Н. В. Волков^cd, С. Г. Овчинников^c, А. В. Латышев^ae

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
^c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^d Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
^e Новосибирский государственный университет

Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Поступила в редакцию: 26.07.2011