Эта публикация цитируется в 9 статьях

Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии

В. Н. Бессолов, Ю. В. Жиляев, Е. В. Коненкова, Н. К. Полетаев, Ш. Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия на кремниевой подложке ориентации (100). Экспериментально показано, что создание специально ориентированного тонкого 600 nm слоя нитрида алюминия методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе (HVPE) позволяет получить рост нитрида галлия в полуполярном направлении. Полуширина кривой качания рентгеновской дифракции для лучших слоев $\omega_\theta$ (0004)=30 arcmin; в спектрах фотолюминесценции GaN при 77 K проявляются экситонная и донорно-акцепторные полосы рекомбинации.

Поступила в редакцию: 06.06.2011

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2012, 38:1, 9–11

Реферативные базы данных:

•