Адсорбция редкоземельных атомов на эпитаксиальном графене: аналитические оценки

С. Ю. Давыдов^a, О. В. Посредник<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Эпитаксиальный однослойный графен рассматривается как “инструмент” извлечения атомов редкоземельных металлов из окружающей среды. С учетом диполь-дипольного отталкивания и конечной концентрации редкоземельных металлов проведены оценки перехода заряда $Z_a$ между адслоем и графеном и значения энергии адсорбции $E_{ads}$. Обсуждается влияние SiC-подложки на $Z_a$ и $E_{ads}$.

Ключевые слова: конечная концентрация адатомов, диполь-дипольное отталкивание, SiC-подложка.

Поступила в редакцию: 21.07.2025
Исправленный вариант: 28.08.2025
Принята в печать: 01.09.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2026.01.61921.20447

Реферативные базы данных:

•