Аннотация:
Методом магнетронного распыления в режиме постоянного тока в высоковакуумной камере синтезирована серия пленок Ge$_x$Ni$_{1-x}$ на монокристаллических подложках кремния. Пленки получали осаждением при одновременном распылении двух мишеней: полупроводникового германия и металлического никеля. Химический состав пленок исследовался методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Установлено, что термический отжиг пленок приводит к формированию в них фазы германида никеля NiGe. Методом сканирующей электронной микроскопии обнаружены области, которые можно отнести к указанной фазе.