Аннотация:
Предложена методика получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке Si(001) самоформирующихся Ge нанопроволок. Подход основан на осаждении в двух зонах подложки различного количества Ge и контроле поверхности одной из зон методом дифракции быстрых электронов, что позволяет осаждать произвольно близкое к критической толщине псевдоморфного роста количество Ge в другой зоне. Совместно с оптимизированными условиями постростового отжига это позволило получить Ge нанопроволоки с различными параметрами, в том числе с длиной более 0.5 $\mu$m и низкой поверхностной плотностью, морфология которых удовлетворяет требованиям для формирования на их основе дырочных спиновых кубитов.
Полный текст:
PDF файл (496 kB)