Эта публикация цитируется в 18 статьях

Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP

А. И. Баранов, А. С. Гудовских, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров

Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Показана возможность формирования фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур GaPNAs/GaP, представляющих большой интерес для создания многопереходных солнечных элементов на кремниевых подложках. Показано, что в $p$–$i$–$n$-структурах с нелегированным слоем GaPNAs происходит более эффективное разделение носителей заряда, что позволяет достичь большего тока короткого замыкания по сравнению с $p$–$n$-структурами с базой $n$-типа. Выявлена особенность спектральных характеристик исследуемых фотопреобразовательных структур, заключающаяся в наличии двух пиков квантовой эффективности, которая связывается со сложной зонной структурой GaPNAs.

Поступила в редакцию: 28.08.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:12, 1117–1120

Реферативные базы данных:

•