Аннотация:
Представлены результаты исследования магнитных свойств Co/Si/Co тонкопленочных систем, полученных с помощью магнетронного распыления. Обнаружено, что поле насыщения изучаемых трехслойных образцов осциллирует по величине с изменением толщины кремниевого полупроводникового слоя. Полученные данные объяснены структурными особенностями Co/Si/Co образцов и наличием антиферромагнитного обменного взаимодействия между магнитными слоями через Si разделительный слой.