С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 23,страницы 72

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония

С. В. Тихов^ab, О. Н. Горшков^ab, И. Н. Антонов^ab, А. П. Касаткин^ab, М. Н. Коряжкина^ab

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород

Аннотация: В структурах металл–оксид–полупроводник на основе пленок Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/оксид на расстоянии 1.1 eV от потолка зоны проводимости Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света.

Поступила в редакцию: 20.06.2013