Эта публикация цитируется в 4 статьях

Моделирование формирования InAs квантовых точек на боковой поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов

А. Д. Большаков^ab, В. Г. Дубровский^ab, Xin Yan^c, Xia Zhang^c, Xiaomin Ren<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications (Ministry of Education), Beijing University of Posts and Telecommunications, China

Аннотация: Проведено теоретическое исследование эффекта образования InAs квантовых точек на боковых поверхностях GaAs нитевидных нанокристаллов. Проведено сравнение эффективных энергий образования тонкого слоя и квантовых точек на боковой поверхности нитевидных нанокристаллов с учетом упругих напряжений на радиальной гетерогранице двух материалов, рассогласованных по параметру решетки. Введено понятие критической толщины внешнего слоя, при достижении которой механические напряжения стимулируют трехмерный рост квантовых точек. Определена зависимость критической толщины от диаметра нитевидного нанокристалла и упругих констант системы. Объяснен эффект частичного заполнения квантовыми точками боковой поверхности нитевидного нанокристалла за счет уменьшения толщины осажденного InAs с увеличением высоты. Получено хорошее совпадение экспериментальных данных и результатов моделирования.

Поступила в редакцию: 24.04.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:12, 1047–1052

Реферативные базы данных:

•