Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением

И. В. Грехов^ab, Д. В. Гусин^ab, Б. В. Иванов^ab, А. В. Рожков<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Выполнено экспериментальное и расчетное исследование процесса выключения интегрального тиристорного чипа с внешним полевым управлением, работающего в цепи с индуктивной нагрузкой. С помощью независимых измерений анодного и катодного эмиттерного токов установлено, что в реализуемых на практике условиях шунтирование управляемых эмиттеров по внешней цепи не позволяет мгновенно прервать инжекцию электронов во всех элементарных ячейках структуры, и определен максимальный выключаемый ток при работе в таком режиме. Выполненное численное моделирование выявило неустойчивость распределения тока по рабочей площади, способствующую аварийной его локализации, и показало критическую необходимость уменьшения паразитных индуктивностей и сопротивлений в самих чипах и шунтирующей цепи при разработке высоковольтных интегральных тиристоров и силовых модулей на их основе.

Поступила в редакцию: 05.07.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:12, 1036–1039

Реферативные базы данных:

•