Эта публикация цитируется в 6 статьях

Фотоотражение структур GaAs с дельта $\langle$Mn$\rangle$-легированным слоем

О. С. Комков^ab, Р. В. Докичев^ab, А. В. Кудрин^ab, Ю. А. Данилов<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом фотомодуляционной оптической спектроскопии (фотоотражения) определена напряженность встроенного электрического поля в структурах арсенида галлия с дельта-слоем при различном содержании марганца в последнем. Исследованные образцы выращивались с использованием технологии, комбинирующей газофазную эпитаксию из металлорганических соединений и лазерное распыление мишеней Mn и GaAs при пониженной температуре ($T_g$ = 400$^\circ$C). Увеличение содержания Mn в дельта-слое от нуля до 0.35 долей монослоя приводило к росту усредненного по приповерхностной области встроенного электрического поля с 14 до 25 kV/cm. Полученные данные хорошо согласуются с результатами самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона для реального профиля распределения примеси марганца.

Поступила в редакцию: 06.06.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:11, 1008–1011

Реферативные базы данных:

•