Эта публикация цитируется в 3 статьях

Сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита, выращенные в атмосфере азота

Е. В. Балашова^ab, Б. Б. Кричевцов^ab, Н. В. Зайцева^ab, Г. А. Панкова^ab, Ф. Б. Свинарев<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Тонкие сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита выращены методом испарения в атмосфере азота на подложках NdGaO$_3$ и $\alpha$-Al$_2$O$_3$. С помощью встречно-штыревой системы электродов, предварительно нанесенных на подложку, исследован сильно- и слабосигнальный диэлектрический отклик полученных структур. Кристаллизация пленок в атмосфере азота позволила существенно повысить (до 291 K) температуру появления петель диэлектрического гистерезиса, характеризующих переход пленки в сегнетоэлектрическое состояние. В отличие от пленок, выращенных в обычной атмосфере, слабосигнальная диэлектрическая аномалия сильно размыта по температуре, что связано с неоднородным распределением дейтерия по пленке.

Поступила в редакцию: 18.06.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:11, 1004–1007

Реферативные базы данных:

•