В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. М. Сорокин, “Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 22,страницы 25

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования

В. В. Ратников^ab, А. Е. Калмыков^ab, А. В. Мясоедов^ab, С. А. Кукушкин^ab, А. В. Осипов^ab, Л. М. Сорокин^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована динамика изменения структурных характеристик и деформационного состояния эпитаксиальных слоев SiC, AlN, GaN при их последовательном нанесении на подложку Si(111). Слой SiC сформирован методом твердофазной эпитаксии, слои AlN и GaN – с помощью хлорид-гидридной эпитаксии. Газом носителем являлся аргон.

Поступила в редакцию: 19.07.2013