RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 21, страницы 23–29 (Mi pjtf8629)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аномальное увеличение коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики в коротковолновой области солнечного спектра у кремниевого фотоэлемента, содержащего структуру из пористого кремния

Э. Шатковскис, Р. Миткявичюс, В. Загадский, И. Ступакова

Вильнюсский им. Гядиминаса технический университет, Вильнюс, Республика Литва

Аннотация: Предложена и исследована возможность увеличения эффективности кремниевого фотоэлемента путем создания структуры из пористого кремния в его объеме. Исследовались фотоэлементы, изготовленные путем диффузионной технологии из пластин монокристаллического кремния $p$-типа. Структуры пористого кремния создавались анодным фотоэлектролитическим травлением в смеси HF : этанол. Ток и время травления задавались компьютером в пределах 6–14 mA/cm$^2$ и 10–20 s соответственно. Установлено, что структура пористого кремния, расположенная в объеме эмитера, значительно повышала эффективность фотоэлементов. Аномально большое (в 5–9 раз) увеличение эффективности наблюдалось в области длины волны $\lambda\sim$ 550 nm.

Поступила в редакцию: 20.05.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:11, 945–948

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026