Эта публикация цитируется в 2 статьях

Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах

В. М. Емельянов^ab, А. В. Бобыль^ab, Е. И. Теруков^ab, О. И. Честа^ab, М. З. Шварц<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально исследована фотоиндуцированная деградация тандемных фотопреобразователей со структурой $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H с начальным КПД 10.5% при температурах 298, 328 и 353 K. Установлено, что если при температуре 298 K наблюдается снижение КПД фотопреобразователей на 1.0–1.2% при длительной световой экспозиции, то повышение температуры до 328 K приводит к снижению деградации до 0.2% по КПД, а при температуре 353 K деградация не наблюдается. Для объяснения полученных результатов была использована модифицированная модель “H-коллизий”. Определена энергия термической активации для процесса, препятствующего росту свободных (оборванных) связей в слое $i$-$\alpha$-Si : H.

Поступила в редакцию: 20.05.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:10, 906–909

Реферативные базы данных:

•