Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя

Ю. Ю. Илларионов^ab, М. И. Векслер^a, D. Isakov^ab, В. В. Федоров^a, Yew Kwang Sing<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Singapore Institute of Manufacturing Technology, 638075 Nanyang Drive 71, Singapore
^c Nanyang Technological University, 639798 Nanyang Drive 50, Singapore

Аннотация: Предлагается методика диагностики инжекционных свойств тонких диэлектрических слоев, основанная на анализе данных по электролюминесценции кремния в МДП-структуре. На примере образцов с CaF$_2$ и HfO$_2$/SiO$_2$ демонстрируется возможность применения методики для контроля энергии инжекции электронов, в том числе в случае недостаточно хорошо известных параметров барьеров. Полученные результаты важны для применения исследуемых диэлектриков в приборах микроэлектроники.

Поступила в редакцию: 27.05.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:10, 878–882

Реферативные базы данных:

•