Эта публикация цитируется в 1 статье

Высокотемпературный детектор водорода со структурой Pt/Pt+/$n$-6H–SiC

В. В. Зуев^ab, С. Н. Григорьев^ab, Р. И. Романов^ab, В. Ю. Фоминский<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Московский государственный технологический университет "Станкин"

Аннотация: Для формирования газочувствительных структур на монокристаллах $n$-6H–SiC использовался комбинированный метод имплантации Pt$^+$ и последующего осаждения пленки Pt из импульсной лазерной плазмы. Высокотемпературная имплантация обеспечивала формирование слоя, улучшающего сцепление пленки с подложкой, а также изменяющего параметры токопрохождения под воздействием атомарного водорода, образующегося при взаимодействии H$_2$ с каталитически активной Pt. Нарушение слошности пленки Pt в условиях повышенных температур функционирования датчика ($\sim$ 500$^\circ$C) не оказывало явного негативного влияния на сенсорные свойства структуры Pt/Pt+/SiC. Аналогичные эффекты в традиционно используемой диодной структуре Pt/SiC обусловливали сильную деградацию ее функциональных характеристик.

Поступила в редакцию: 09.04.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:9, 834–837

Реферативные базы данных:

•