Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. М. Латникова, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Е. Н. Севостьянов, Н. М. Стусь, “Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 18,страницы 45

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

Н. Д. Ильинская^abc, С. А. Карандашев^abc, Н. М. Латникова^abc, А. А. Лавров^abc, Б. А. Матвеев^abc, М. А. Ременный^abc, Е. Н. Севостьянов^abc, Н. М. Стусь^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c АО "ЦНИИ "Электрон", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлен анализ вольт-амперных и спектральных характеристик фотодиодов на основе одиночной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs, полученной на сильнолегированной подложке $n^+$-InAs ($n^+\sim$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$). Показано, что при низких температурах (77 $<T<$ 190 K) имеет место преобладание генерационно-рекомбинационного механизма токопрохождения, характерного для $p$–$i$–$n$-диодов. Представлены ожидаемые параметры ФД, достижимые с использованием данных гетероструктур.

Поступила в редакцию: 27.05.2013