Эта публикация цитируется в 3 статьях

Наноразмерные структуры с $p$–$n$-переходами на основе SiC для преобразователей химической энергии в электрическую и сенсоров

В. В. Стыров, С. В. Симченко

Бердянский государственный педагогический университет, Украина

Аннотация: Изучается преобразование химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковой структуры (наноразмерные $p$–$n$-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации взаимодействия с поверхностью атомов водорода, кислорода и смесей H+O, CH$_3$+H и последующего разделения электронно-дырочных пар электрическим полем $p$–$n$-перехода. Лицевой $p$-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины ($\sim$30 nm). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 mV, а хемоток короткого замыкания – 320 nA.

Поступила в редакцию: 04.03.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:7, 621–625

Реферативные базы данных:

•