Аннотация:
Предложена методика переноса пленок диоксида ванадия с одной подложки на другую. Такая методика позволила выявить существенное влияние упругих напряжений, возникающих при синтезе пленок и в результате структурного фазового перехода, на температурное положение и форму петли гистерезиса отражательной способности.