RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 12, страницы 8–16 (Mi pjtf8521)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

О возможности управления красной границей туннельного фотоэффекта в углеродных наноразмерных структурах в широком диапазоне длин волн – от ультрафиолетового до инфракрасного

Г. Г. Акчуринab, А. Н. Якунинab, Н. П. Абаньшинab, Б. И. Горфинкельab, Г. Г. Акчурин (мл.)ab

a Институт проблем точной механики и управления РАН, г. Саратов
b ООО "НПП Волга-Свет", г. Саратов

Аннотация: Исследован туннельный фотоэффект в микродиоде с локализацией электростатического поля на эмиттере углеродной наноразмерной структуры. Экспериментально обнаружено, что при облучении углеродного эмиттера лазерными и светодиодными пучками фотонов с низкой энергией (меньше работы выхода) в спектральном диапазоне от ближнего УФ (380 nm) до ближнего ИК (1550 nm) микро- и милливаттной оптической мощности возможно инициирование туннельного фототока за счет управления напряженностью поля в зазоре “эмиттер-анод”. Использование модифицированного уравнения Фаулера–Нордгейма для описания неравновесных фотоэлектронов позволяет интерпретировать наблюдаемое явление. Обсуждаются особенности построения и применения фотодетекторов на основе туннельного фотоэффекта с управляемой красной границей. Проведена оценка широкополосности исследуемого фотоэмиттера, прогнозируется возможность его работы в диапазоне длин волн от УФ вплоть до дальнего ИК.

Поступила в редакцию: 13.02.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:6, 544–547

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026