Эта публикация цитируется в 5 статьях

Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si

С. А. Кукушкин^ab, А. В. Осипов^ab, Д. Б. Вчерашний^ab, С. А. Обухов^ab, Н. А. Феоктистов<sup>ab

a</sup> Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены первые результаты электрофизических исследований пленок карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом эпитаксии. Определен тип носителей заряда в пленках SiC на Si и измерена их плотность и подвижность. Исследования показали, что пленки SiC на Si, выращенные данным методом, обладают $n$-типом проводимости. Концентрация основных носителей заряда (электронов) в нелегированных слоях пленок SiC на Si составляет в среднем $n\sim$10$^{18}$ cm$^{-3}$. Подвижность основных носителей заряда (электронов) для пленок изменяется в зависимости от режимов синтеза от $\mu$ = 27 до 85 cm$^2$/(V $\cdot$ s).

Поступила в редакцию: 16.10.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:5, 488–491

Реферативные базы данных:

•