В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. П. Хвостиков, Е. П. Марухина, “Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 10,страницы 49

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения

В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. П. Хвостиков, Е. П. Марухина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена методика формирования наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на поверхностях полупроводниковых кристаллов GaAs за счет реакций твердофазного замещения. Продемонстрирован эффект широкозонного окна, проявляющийся в возрастании интенсивности фотолюминесценции обработанных пластин до 25 раз при 300 K.

Поступила в редакцию: 24.01.2013