Эта публикация цитируется в 2 статьях

Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом

М. В. Барановский, Г. Ф. Глинский

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Разработана методика экспресс-диагностики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Создана автоматизированная установка, позволяющая на основе фотоэлектрических измерений при комнатной температуре проводить анализ относительного расположения квантовых ям в гетероструктуре, качества гетероинтерфейсов и степени локализации носителей заряда в ямах. Время измерения одной гетероструктуры составляет доли секунды. Разработанная методика имеет ряд преимуществ по сравнению с широко используемым методом вольт-фарадного профилирования структур с квантовыми ямами.

Поступила в редакцию: 10.12.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:5, 460–462

Реферативные базы данных:

•