RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 6, страницы 87–94 (Mi pjtf8458)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

О механизме формирования инкапсулированных наночастиц при импульсном лазерном осаждении тонкопленочных покрытий WSe$_x$

В. Ю. Фоминскийab, С. Н. Григорьевab, А. Г. Гнедовецab, Р. И. Романовab

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Московский государственный технологический университет "Станкин"

Аннотация: Исследованы факторы, влияющие на образование наночастиц со структурой сферического металлического W ядра в оболочке из WSe$_2$ при осаждении тонких пленок диселенида вольфрама в варьируемых условиях (давление буферного газа Ar, температура подложки). Установлено, что металлическое ядро формируется на стадии абляции синтезированной мишени WSe$_2$, а оболочка нарастает в результате процессов конденсации, миграции и перераспределения атомов при осаждении лазерно-инициированного атомарного потока на поверхности растущей пленки. Торможение атомарного потока буферным газом в диапазоне давлений 2–10 Pa не обеспечивало активирования процессов конденсации оболочки на ядре в газовой фазе. Повышение температуры подложки от комнатной до 250$^\circ$C инициировало трансформацию аморфной структуры оболочки в ламинарную.

Поступила в редакцию: 15.11.2012


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:3, 312–315

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026