Эта публикация цитируется в 2 статьях

Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)

В. Н. Бессолов^abc, Е. В. Коненкова^abc, С. А. Кукушкин^abc, В. И. Николаев^abc, А. В. Осипов^abc, Ш. Шарофидинов^abc, М. П. Щеглов<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^c ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия в полуполярном направлении газофазной эпитаксией в хлоридной системе (HVPE). В качестве подложки предложен Si(210), а в качестве буферных слоев использованы: в начале – 3C-SiC, а затем – AlN. Впервые экспериментально показано, что в условиях анизотропной деформации гетероструктуры GaN/AlN/3C-SiC/Si(210) происходит рост GaN-слоя в полуполярных направлениях.

Поступила в редакцию: 09.10.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2013, 39:3, 274–276

Реферативные базы данных:

•