Аннотация:
Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи основного состояния экситона из пространственно-разделенных электрона и дырки (дырка движется в объеме полупроводниковой квантовой точки, а электрон локализован на внешней сферической поверхности раздела квантовая точка – диэлектрическая матрица) по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах сульфида кадмия и селенида цинка.