М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, M. I. Lepsa, D. Gruetzmacher, А. Н. Титков, “Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки”, Письма в ЖТФ, 2013, том 39, выпуск 4,страницы 53

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки

М. С. Дунаевский^ab, П. А. Алексеев^ab, M. I. Lepsa^cd, D. Gruetzmacher^cd, А. Н. Титков^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Россия
^c Peter Grünberg Institute, Jülich
^d JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Forschungszentrum Julich, Germany

Аннотация: Методом градиентной кельвин-зонд-микроскопии исследовалось распределение внешнего потенциала вдоль GaAs-нанопроводов со сформированными на концах электрическими контактами. Обнаружено, что в случае формирования контакта Шоттки приложение внешнего запирающего напряжения вызывает накопление вблизи контакта зарядов в поверхностном слое естественного окисла. Накопление зарядов существенно изменяет распределение потенциала вдоль GaAs-нанопровода. Накопление заряда и его диссипация после снятия напряжения происходят с характерными временами в несколько минут.

Поступила в редакцию: 07.10.2012