RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
2013
, том 39,
выпуск 4,
страницы
23–30
(Mi pjtf8424)
Эта публикация цитируется в
6
статьях
Щель в плотности состояний эпитаксиального графена, сформированного на поверхности размерно-квантованной металлической пленки
З. З. Алисултанов
ab
a
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b
Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала
Аннотация:
Исследованы электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности размерно-квантованной пленки. Показано, что в плотности состояний эпитаксиального графена появляется запрещенная щель.
Поступила в редакцию:
04.10.2012
Полный текст:
PDF файл (222 kB)
Список цитирования
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2013,
39
:2,
196–198
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2026