Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике

М. В. Максимов^a, Ф. И. Зубов^a, А. А. Бекман^b, Г. О. Корнышов^b, Н. Ю. Гордеев^b, А. А. Харченко^a, О. И. Симчук^a, Н. А. Калюжный^b, Ю. М. Шерняков<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние оптической накачки светом с длиной волны 1260 nm на спектры лазеров на основе квантовых точек InAs/GaAs, находящихся в режиме генерации через основное состояние (1260 nm), возбужденное состояние (1180 nm), а также через оба указанных состояния одновременно. Накачка излучением основного состояния не меняет режима генерации лазеров, также излучающих через основное состояние, но приводит к подавлению генерации через возбужденное состояние. Чем больше интенсивность генерации через возбужденное состояние, тем большая мощность оптической инжекции требуется для ее подавления.

Ключевые слова: лазер, двухуровневая генерация, квантовые точки.

Поступила в редакцию: 22.07.2025
Исправленный вариант: 05.08.2025
Принята в печать: 05.08.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.21.61528.20450

Реферативные базы данных:

•