RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 21, страницы 34–37 (Mi pjtf8414)

Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m

Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев

ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основе гетероструктур $n$-GaSb/$n$-Ga$_{0.74}$In$_{0.26}$As$_{0.22}$Sb$_{0.78}$/$p$-GaSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя, впервые созданы светодиоды, излучающие в диапазоне длин волн 2.5–2.8 $\mu$m при комнатной температуре. Представлены результаты исследования электрических и электролюминесцентных характеристик указанных светодиодов. Импульсная оптическая мощность в квазинепрерывном режиме при токе инжекции 200 mA составляла 7.4 $\mu$W. Разработанные светодиоды могут использоваться для детектирования углекислого газа и паров воды в атмосфере.

Ключевые слова: светодиоды, электролюминесценция, гетероструктуры GaSb/GaInAsSb, жидкофазная эпитаксия, свинцовые растворы-расплавы.

Поступила в редакцию: 27.06.2025
Исправленный вариант: 01.08.2025
Принята в печать: 02.08.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.21.61525.20419



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026