Дно размерной подзоны в сверхрешеткe с сильно связанными мелкими квантовыми ямами

А. Б. Пашковский

АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия

Аннотация: На основе аналитического решения дисперсионного уравнения проведена оценка энергетического положения дна размерной подзоны в мелких сверхрешетках. Показано, что для верхних долин сверхрешеток GaAs/AlAs, используемых в гетероструктурах полевых транзисторов, глубина дна размерной подзоны относительно верха барьера находится на уровне 0.11–0.13 eV.

Ключевые слова: сверхрешетка, размерные подзоны, потенциальный барьер.

Поступила в редакцию: 20.06.2025
Исправленный вариант: 16.07.2025
Принята в печать: 25.07.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.21.61522.20411

Реферативные базы данных:

•