В. И. Николаев, Р. Б. Тимашов, А. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, С. В. Шапенков, В. М. Крымов, “Слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом ультразвуковой паровой химической эпитаксии (mist-CVD)”, Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 20,страницы 21

Слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом ультразвуковой паровой химической эпитаксии (mist-CVD)

В. И. Николаев, Р. Б. Тимашов, А. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, С. В. Шапенков, В. М. Крымов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые методом CVD получены эпитаксиальные слои оксида хрома на подложках объемного оксида галлия толщиной до 1 $\mu$m и более. Исследован вопрос ориентации этих слоев. Методом рентгеновской дифракции установлено, что слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на пластинах (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$, имеют единственный слоевой рефлекс, соответствующий $(11\bar 26)$.

Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, mist-CVD-эпитаксия, гетероструктуры, многослойные пленки.

Поступила в редакцию: 16.06.2025
Исправленный вариант: 14.07.2025
Принята в печать: 14.07.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.20.61396.20406