Влияние механической деформации растяжения на магнитосопротивление наноструктур магнитной стрейнтроники

Д. А. Жуков^a, О. П. Поляков^b, П. А. Поляков^b, В. В. Амеличев^a, С. И. Касаткин^c, Д. В. Костюк<sup>a

a</sup> НПК "Технологический Центр", Москва, Зеленоград, Россия
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Москва, Россия
^c Институт проблем управления им. В. А. Трапезникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования наноструктуры магнитной стрейнтроники Ta (5 nm)/FeNiCo (20 nm)/CoFe (10 nm)/Ta (5 nm). Определена зависимость магнитосопротивления от величины напряженности внешнего магнитного поля в условиях механической деформации растяжения. Предложена теоретическая модель, объясняющая особенности этой экспериментальной зависимости. В частности, объяснена экспериментально установленная асимметрия изменения магнитосопротивления при деформации сжатия и растяжения.

Ключевые слова: магнитная стрейнтроника, магниторезистивный эффект, теория микромагнетизма, магниторезистивная наноструктура.

Поступила в редакцию: 18.04.2025
Исправленный вариант: 18.06.2025
Принята в печать: 10.07.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.20.61393.20349

Реферативные базы данных:

•