С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. Г. Гладышев, А. П. Васильев, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 24,страницы 22

Эта публикация цитируется в 1 статье

Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором

С. А. Блохин^a, А. Г. Кузьменков^ab, А. Г. Гладышев^ab, А. П. Васильев^ab, А. А. Блохин^ac, М. А. Бобров^a, Н. А. Малеев^a, В. М. Устинов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Исследована возможность определения фактических толщин и составов отдельных слоев гетероструктур AlGaAs с вертикальным микрорезонатором при совместном использовании методов спектроскопии оптического отражения и рентгеновской дифракции. Показано, что самосогласованное решение двух возникающих обратных задач при использовании специальной конструкции тестовой гетероструктуры частично снимает проблему неопределенности решения и повышает абсолютную точность определения параметров отдельных эпитаксиальных слоев.

Поступила в редакцию: 05.08.2014