Эта публикация цитируется в 2 статьях

Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом $p$–$i$–$n$-диоде

Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско, А. В. Фадеев, А. А. Калямин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Проведены численный расчет распределения электрического поля и плотности заряда в $p$–$i$–$n$-диоде при прямом смещении, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в $p$–$i$–$n$-диодах. Численные результаты качественно согласуются с экспериментом.

Поступила в редакцию: 16.06.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:11, 984–986

Реферативные базы данных:

•