RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 21, страницы 71–78 (Mi pjtf8307)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Магнитоэлектрический эффект в структурах на основе металлизированных подложек арсенида галлия

В. М. Лалетинab, А. И. Стогнийab, Н. Н. Новицкийab, Н. Н. Поддубнаяab

a Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению

Аннотация: Впервые экспериментально исследован магнитоэлектрический эффект в области электромеханического резонанса для структур в виде подложек арсенида галлия, металлизированных, с одной стороны, тонкими пленками никеля или кобальта, а с другой – золота (Ni–GaAs–Au, Co–GaAs–Au). Зависимость магнитоэлектрического эффекта от поля намагничивания в структуре Ni–GaAs–Au имеет аномальный вид, несвойственный известным композиционным магнитоэлектрическим материалам на основе керамических пьезоэлектриков. Максимальное значение магнитоэлектрического коэффициента при резонансе составляет 81.2 V/A, что соответствует гигантскому магнитоэлектрическому эффекту при комнатной температуре. Показано, что этот резонанс характеризуется высокой добротностью до 8000.

Поступила в редакцию: 26.06.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:11, 969–971

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026