Эта публикация цитируется в 3 статьях

Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs

О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, И. Л. Калентьева

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы излучательные характеристики и циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с одиночной (GaAs/GaAsSb/GaAs) или двухслойной (GaAs/InGaAs/GaAsSb/GaAs) квантовой ямой и дельта-слоем Mn в барьере GaAs. Впервые обнаружено и исследовано ферромагнитное воздействие дельта-слоя марганца на спиновую поляризацию носителей в квантовых ямах на основе гетероструктур II рода. Для описания исследованных явлений использована модель обменного взаимодействия ионов Mn в барьере и дырок в квантовой яме.

Поступила в редакцию: 22.05.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:10, 930–933

Реферативные базы данных:

•