Термоэлектрический эффект в $n$-Ge, обусловленный термоупругодеформационным механизмом

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала

Аннотация: Рассмотрен новый физический механизм возникновения аномального термоэдс в $n$-Ge, который имеет знак, обратный знаку термоэдс Зеебека. Показано, что аномальный термоэлектрический эффект связан с перераспределением носителей заряда в энергетических экстремумах зон при термоупругой деформации кристалла.

Поступила в редакцию: 05.09.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:10, 917–919

Реферативные базы данных:

•