Структурное состояние эпитаксиальных слоев ZnO из измерений интегральной интенсивности трехволновых и двухволновых рефлексов

Р. Н. Кютт^ab, С. В. Иванов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: По методу Реннингера измерена трехволновая дифракция от эпитаксиальных слоев ZnO разной толщины и совершенства. Проанализирована интегральная интенсивность трехволновых рефлексов и сравнена с интенсивностью двухволновых Брэгг- и Лауэ-отражений. Показано, что для тонких слоев ZnO, выращенных с преобладанием потока кислорода, интегральная интенсивность как трехволновых пиков, так и Лауэ-рефлекса много меньше, чем для слоя такой же толщины, выращенного с преобладанием Zn. Этот факт объясняется наличием текстурированного подслоя в первом случае.

Поступила в редакцию: 02.06.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:10, 894–896

Реферативные базы данных:

•