Бета-индуцированное уменьшение адгезии в структуре AlN/Si

Ю.И. Головин, А. А. Дмитриевский, Н. Ю. Ефремова

Научно-исследовательский институт "Нанотехнологии и наноматериалы" Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина

Аннотация: Исследовано влияние низкоинтенсивного ($I\sim$ 1.2 $\cdot$ 10$^5$cm$^{-2}$ $\cdot$ s$^{-1}$) бета-облучения на процесс отслаивания аморфной пленки AlN (толщиной порядка 100 nm) от кремниевой подложки ориентации (100) при царапании пирамидой Берковича с линейно нарастающей во времени нагрузкой. Обнаружено, что после облучения (флюенс $f$ = 2.16 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$) пленка AlN начинает отслаиваться при меньшей (на 10%) нагрузке и уменьшается (на 40%) латеральная сила, действующая на царапающий индентор. Полученные результаты могут найти применение в совершенствовании технологии бондинга, а также должны учитываться при оценке надежности тонкопленочных структур, подверженных (преднамеренно или случайно) действию электронного облучения.

Поступила в редакцию: 06.06.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:10, 887–889

Реферативные базы данных:

•