Эта публикация цитируется в 10 статьях

Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник

С. В. Тихов^a, О. Н. Горшков^b, И. Н. Антонов^b, А. П. Касаткин^a, М. Н. Коряжкина<sup>a

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: На примере структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе GaAs со стабилизированным (оксидом иттрия) диоксидом циркония, проявляющих эффект резистивной памяти, показана возможность контроля происходящих при формовке явлений как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик–полупроводник и в полупроводнике путем измерения отклика полупроводника.

Поступила в редакцию: 30.04.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:10, 837–840

Реферативные базы данных:

•