С. Н. Григорьев, В. Н. Неволин, В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, М. А. Волосова, “Модифицирование химического состава, морфологии и антиотражающих свойств пленок WSe$_x$, формируемых импульсным лазерным осаждением”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 18,страницы 38

Эта публикация цитируется в 1 статье

Модифицирование химического состава, морфологии и антиотражающих свойств пленок WSe$_x$, формируемых импульсным лазерным осаждением

С. Н. Григорьев^abc, В. Н. Неволин^abc, В. Ю. Фоминский^abc, Р. И. Романов^abc, М. А. Волосова^abc

^a Московский станкоинструментальный институт "Станкин"
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследована возможность регулирования важных структурно-фазовых характеристик пленок WSe$_x$, относящихся к классу слоистых материалов и перспективных к применению в современных устройствах нано- и оптоэлектроники. Применение термообработки и ионного облучения в процессе импульсного лазерного осаждения в тени противокапельного экрана позволило варьировать соотношение Se/W от 5 до 1.5, изменять характер атомной упаковки, а также получать пленки как с достаточно гладкой поверхностью, так и с различным профилем поверхности. Увеличение высоты неровностей параболической формы до 200–500 nm позволило понизить коэффициент отражения света в широком диапазоне длин волн от 30% (характерная величина для пленок с гладкой поверхностью) до 6%, что может способствовать существенному повышению эффективности солнечных элементов на полупроводниковых пленках такого типа.

Поступила в редакцию: 28.04.2014