К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 16,страницы 65

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур

К. Д. Мынбаев^abc, Н. Л. Баженов^abc, М. В. Якушев^abc, Д. В. Марин^abc, В. С. Варавин^abc, Ю. Г. Сидоров^abc, С. А. Дворецкий^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^c Томский государственный университет

Аннотация: Методом фотолюминесценции исследована дефектно-примесная структура гетероэпитаксиальных слоев Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Si (0.35 $<x<$ 0.39), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией для создания $p^+$–$n$-переходов ионной имплантацией мышьяка. Показано, что полной реализации возможностей фотодиодных структур "$p^+$–на–$n$" на основе CdHgTe/Si препятствует неконтролируемое легирование материала, приводящее к формированию как мелких (с энергией залегания $\sim$ 10 meV), так и глубоких ($\sim$ 50 meV) акцепторных уровней.

Поступила в редакцию: 05.03.2014