А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 15,страницы 45

Эта публикация цитируется в 1 статье

Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации

А. А. Лебедев^ab, В. В. Козловский^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Определена скорость удаления носителей $(V_d)$ в 3 политипах SiC, выращенного методом сублимации, $p$-типа проводимости при его облучении электронами с энергией 0.9 MeV. На основе известных литературных данных проводится сравнение величины $V_d$ в карбиде кремния при комнатной температуре в зависимости от политипа, типа проводимости и технологии изготовления. Предложена модель, объясняющая различие в значениях величины $V_d$.

Поступила в редакцию: 17.02.2014