Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, А. Е. Черняков, А. В. Сахаров, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Ю. Н. Макаров, H. Helava, “Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 13,страницы 73

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии

Н. М. Шмидт^abc, А. С. Усиков^abc, Е. И. Шабунина^abc, А. Е. Черняков^abc, А. В. Сахаров^abc, С. Ю. Курин^abc, А. А. Антипов^abc, И. С. Бараш^abc, А. Д. Роенков^abc, Ю. Н. Макаров^abc, H. Helava^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Приведены результаты сравнительных исследований финальной стадии деградации внешней квантовой эффективности AlGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии, и мощных синих светодиодов InGaN/GaN, полученных методом эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что одним из процессов, приводящих к снижению значений квантовой эффективности обоих типов светодиодов, является локальное дефектообразование с участием механизма Года–Вайсберга в системе протяженных дефектов. Для повышения срока службы ультрафиолетовых светодиодов AlGaN/GaN более 2000 h необходимо улучшить характер организации наноматериала светоизлучающих структур и выяснить вклад разупорядоченности состава AlGaN в деградацию внешней квантовой эффективности.

Поступила в редакцию: 20.02.2014