RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 13, страницы 18–26 (Mi pjtf8192)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Эволюция морфологии поверхности при росте пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами

А. В. Новакab, В. Р. Новакab

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
b Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина

Аннотация: Изучена эволюция морфологии поверхности при росте пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами (пленки HSG-Si) на основе использования скейлингового анализа изображений поверхности, полученных посредством атомно-силовой микроскопии. Из корреляционных функций высота-высота найдено, что показатель шероховатости $\alpha$ = 0.92 $\pm$ 0.03 и не зависит от толщины пленки. Получены зависимости ширины интерфейса $w(t)$, корреляционной длины $\xi(t)$ и длины волны $\lambda(t)$ от времени осаждения $t$ и найдены скейлинговые коэффициенты $\beta$, $1/z$, $p$.

Поступила в редакцию: 27.12.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:7, 549–552

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026